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應(yīng)用領(lǐng)域 | 電氣 | | |
雷電沖擊陡波發(fā)生器適用于220kV及以下電壓等級(jí)的空氣間隙、復(fù)合絕緣子、套管、盤(pán)型懸式絕緣子、互感器等試品的雷電沖擊電壓全波和雷電沖擊陡波及標(biāo)準(zhǔn)操作波試驗(yàn)。
雷電沖擊發(fā)生器使用條件
海拔高度:不超過(guò)1000米
環(huán)境溫度:-25℃—+40℃
相對(duì)濕度:不大于85%
zui大日溫差:25℃
使用環(huán)境:戶內(nèi)
無(wú)導(dǎo)電塵埃
無(wú)火災(zāi)及爆炸危險(xiǎn)
無(wú)腐蝕金屬和絕緣的氣體
電源電壓的波形為正弦波,波形畸變率<5%
接地電阻不大于0.5Ω
對(duì)周?chē)踩嚯x不小于2米
遵循標(biāo)準(zhǔn):
GB/T 311.1-1997 高壓輸變電設(shè)備的絕緣與配合
GB/T 16927.1 高電壓試驗(yàn)技術(shù) *部分 一般試驗(yàn)要求
GB/T 16927.2 高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分 測(cè)量系統(tǒng)
GB/T 16896.1 高電壓沖擊試驗(yàn)用數(shù)字記錄儀
ZBF 24001 沖擊電壓試驗(yàn)實(shí)施細(xì)則
JB/T 7616 高壓線路絕緣子陡波沖擊耐受試驗(yàn)
DL/T 557 高電壓線路絕緣子陡波沖擊試驗(yàn)、定義、試驗(yàn)方法和判據(jù)
GB 1000.1-1988 高壓線路針式瓷絕緣子 技術(shù)條件
GB/T 775.2-2003 絕緣子試驗(yàn)方法 第2部分: 電氣試驗(yàn)方法
GB/T 2900.8-1995 電工術(shù)語(yǔ) 絕緣子
GB/T 7253-2005 標(biāo)稱電壓高于1000V的架空線路絕緣子 交流系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子件 盤(pán)形懸式絕緣子件的特性
GB 1001-1986 盤(pán)形懸式絕緣子技術(shù)條件
GB/T 20642-2006 高壓線路絕緣子空氣中沖擊擊穿試驗(yàn)
額定參數(shù)值:
標(biāo)稱電壓:±900kV
級(jí)電壓:±150kV
額定能量:21.9kJ
每級(jí)主電容: 0.325μF 150kV(單臺(tái)脈沖電容器0.65μF/75kV)
沖擊總電容:0.05417μF
總級(jí)數(shù):6級(jí)
負(fù)荷電容:300-2000PF以下能產(chǎn)生以下幾種波形
1、標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波,±1.2/50μs電壓利用系數(shù)>90%(空載);波頭時(shí)間1.2±30%微秒,波尾時(shí)間50±20%微秒。
2、1000~1500V/nS合成絕緣子陡波沖擊電壓,zui大幅值600kV。
3、盤(pán)形懸式絕緣子 2.8p.u.
4、針式絕緣子 2.0p.u.
5、柱式絕緣子 2.3p.u.
這幾種沖擊電壓波形參數(shù)及其偏差均符合有關(guān)國(guó)家GB311及GB16927標(biāo)準(zhǔn)的要求。
雷電沖擊陡波發(fā)生器主要部件:
充電部分
采用恒流充電裝置
采用絕緣筒油浸式充電變壓器,原邊電壓220V,副邊電壓80kV,額定容量5kVA,變壓器密封良好,無(wú)滲漏油;
采用2DL-200kV/100mA的高壓整流硅堆;
充電極性由電機(jī)驅(qū)動(dòng)自動(dòng)轉(zhuǎn)換;
高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上;
沖擊發(fā)生器本體
采用不對(duì)稱倍壓充電方式,額定輸出電壓±150kV;
恒流充電裝置在20%~100%額定充電電壓范圍內(nèi)
實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%,充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%,充電電壓的可調(diào)精度為1%;
直流電阻分壓器采用150kV,300MΩ油浸式金屬膜電阻,低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi),低壓臂上的電壓信號(hào)用屏蔽電纜引入控制臺(tái)內(nèi)。
自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)采用電磁鐵分合接地機(jī)構(gòu),試驗(yàn)停止時(shí)可自動(dòng)將主電容器經(jīng)保護(hù)電阻接地。
恒流充電的電感、電容裝在控制臺(tái)內(nèi),充電變壓器、高壓整流硅堆、保護(hù)電阻、自動(dòng)換極性裝置、自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)和絕緣支柱等安裝在一移動(dòng)式底盤(pán)上。